Numéro de produit du fabricant:
TSM60NC165CI
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NC165CI-DG
Description:
600V, 24A, SINGLE N-CHANNEL POWE
Description détaillée:
N-Channel 600 V 24A (Tc) 89W (Tc) Through Hole ITO-220
Inventaire:
13374379
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SOUMETTRE
TSM60NC165CI Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
Emballage
Tube
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
165mOhm @ 11.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
44 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1857 pF @ 300 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
89W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
ITO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
TSM60
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
1801-TSM60NC165CI
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NC165CI C0G
FABRICANT
Taiwan Semiconductor Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
4000
NUMÉRO DE PIÈCE
TSM60NC165CI C0G-DG
PRIX UNITAIRE
1.80
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM60NB900CP
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM042N03CS
30V, 30A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM210N02CX
20V, 6.7A, SINGLE N-CHANNEL POWE