Numéro de produit du fabricant:
TSM60NB900CP
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM60NB900CP-DG
Description:
600V, 4A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4A (Tc) 36.8W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
13374387
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SOUMETTRE
TSM60NB900CP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 1.2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
9.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
315 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
36.8W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
TSM60
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
1801-TSM60NB900CPTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R1K0CEAUMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
7232
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R1K0CEAUMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.23
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QUANTITÉ DISPONIBLE
2480
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
0.64
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
FCD900N60Z
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
1213
NUMÉRO DE PIÈCE
FCD900N60Z-DG
PRIX UNITAIRE
0.73
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