Numéro de produit du fabricant:
FCD900N60Z
Product Overview
Fabricant:
Fairchild Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
FCD900N60Z-DG
Description:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 4
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 52W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
1213 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12946344
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SOUMETTRE
FCD900N60Z Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
SuperFET® II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
720 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
52W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
385
Autres noms
ONSONSFCD900N60Z
2156-FCD900N60Z
Classification environnementale et d'exportation
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPA60R280CFDD7
IPA60R280 - 600V COOLMOS N-CHANN
FCP600N60Z
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
FCP4N60
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 3
