Numéro de produit du fabricant:
TSM043NB04CZ
Product Overview
Fabricant:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
TSM043NB04CZ-DG
Description:
MOSFET N-CH 40V 16A/124A TO220
Description détaillée:
N-Channel 40 V 16A (Ta), 124A (Tc) 2W (Ta), 125W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
4166 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948094
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SOUMETTRE
TSM043NB04CZ Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Taiwan Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
16A (Ta), 124A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
4.3mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
74 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4928 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
TSM043
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
1801-TSM043NB04CZ
TSM043NB04CZ C0G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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