Numéro de produit du fabricant:
STH110N7F6-2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH110N7F6-2-DG
Description:
MOSFET N-CH 68V 80A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 68 V 80A (Tc) 176W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
12948099
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SOUMETTRE
STH110N7F6-2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™ F6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
68 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.3mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
100 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
176W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STH110
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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