Numéro de produit du fabricant:
STWA75N60M6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STWA75N60M6-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 72A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247 Long Leads
Inventaire:
12876709
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SOUMETTRE
STWA75N60M6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
72A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4850 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
446W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247 Long Leads
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STWA75
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
497-STWA75N60M6
497-18502
497-18502-DG
-1138-STWA75N60M6
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG73N60AE-GE3
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
SIHG73N60AE-GE3-DG
PRIX UNITAIRE
5.23
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QUANTITÉ DISPONIBLE
585
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
6.37
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
TK62N60X,S1F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
102
NUMÉRO DE PIÈCE
TK62N60X,S1F-DG
PRIX UNITAIRE
5.71
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PRIX UNITAIRE
6.74
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
8.93
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