Numéro de produit du fabricant:
STP35N65DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP35N65DM2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 32A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 32A (Tc) 250W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12876724
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SOUMETTRE
STP35N65DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
32A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
110mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
56.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2540 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP35
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW35N65DM2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
360
NUMÉRO DE PIÈCE
STW35N65DM2-DG
PRIX UNITAIRE
3.01
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP130N60
FABRICANT
Fairchild Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
127
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP130N60-DG
PRIX UNITAIRE
2.72
TYPE DE SUBSTITUT
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