STW68N60M6-4
Numéro de produit du fabricant:

STW68N60M6-4

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STW68N60M6-4-DG

Description:

MOSFET N-CH 600V 63A TO247-4
Description détaillée:
N-Channel 600 V 63A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-247-4

Inventaire:

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SOUMETTRE

STW68N60M6-4 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
63A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
41mOhm @ 31.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4360 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
390W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-4
Emballage / Caisse
TO-247-4
Numéro de produit de base
STW68

Fiche technique & Documents

Fiches techniques
STW68N60M6

Informations supplémentaires

Forfait standard
600

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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