SI9410DY,518
Numéro de produit du fabricant:

SI9410DY,518

Product Overview

Fabricant:

NXP USA Inc.

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SI9410DY,518-DG

Description:

MOSFET N-CH 30V SOT96-1
Description détaillée:
N-Channel 30 V 7A (Tj) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO

Inventaire:

12879103
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SOUMETTRE

SI9410DY,518 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
NXP Semiconductors
Emballage
-
Série
TrenchMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
7A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
30mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-SO
Emballage / Caisse
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Numéro de produit de base
SI9

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
934056383518
SI9410DY /T3
SI9410DY /T3-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
2 (1 Year)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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