Numéro de produit du fabricant:
STU7N60DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STU7N60DM2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 6A IPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Tc) 60W (Tc) Through Hole I-PAK
Inventaire:
12872472
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SOUMETTRE
STU7N60DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
900mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.5 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
324 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I-PAK
Emballage / Caisse
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Numéro de produit de base
STU7N60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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