Numéro de produit du fabricant:
STD6N60M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STD6N60M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 4.5A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 600 V 4.5A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventaire:
12872498
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SOUMETTRE
STD6N60M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™ II Plus
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 2.25A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
232 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DPAK
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD6N60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
497-13939-6
STD6N60M2-DG
-497-13939-6
497-13939-2
-497-13939-1
497-13939-1
-497-13939-2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R950C6ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
4797
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD60R950C6ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.41
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