STP9NM50N
Numéro de produit du fabricant:

STP9NM50N

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STP9NM50N-DG

Description:

MOSFET N-CH 500V 5A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 500 V 5A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

12876611
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SOUMETTRE

STP9NM50N Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MDmesh™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
560mOhm @ 3.7A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
570 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
70W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP9N

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
STP9NM50N-DG
-497-7537-5
497-7537-5

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP6N50D2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
2275
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTP6N50D2-DG
PRIX UNITAIRE
4.59
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB11N50APBF
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
2122
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFB11N50APBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.98
TYPE DE SUBSTITUT
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