Numéro de produit du fabricant:
IRF640FP
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF640FP-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 18A TO220FP
Description détaillée:
N-Channel 200 V 18A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220FP
Inventaire:
12876634
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SOUMETTRE
IRF640FP Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
MESH OVERLAY™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
180mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1560 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IRF6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FQPF19N20C
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
783
NUMÉRO DE PIÈCE
FQPF19N20C-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
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15905
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
1.01
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PRIX UNITAIRE
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