Numéro de produit du fabricant:
STW70N60DM2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW70N60DM2-DG
Description:
N-channel 600 V, 37 mOhm typ., 6
Description détaillée:
N-Channel 600 V 66A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12876740
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SOUMETTRE
STW70N60DM2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ DM2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
66A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
42mOhm @ 33A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
121 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5508 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
446W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW70
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
600
Autres noms
497-16345-5
5060-STW70N60DM2
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STW72N60DM2AG
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
600
NUMÉRO DE PIÈCE
STW72N60DM2AG-DG
PRIX UNITAIRE
6.50
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH80N65X2
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXTH80N65X2-DG
PRIX UNITAIRE
8.12
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
8.12
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10.10
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