Numéro de produit du fabricant:
STP13N65M2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP13N65M2-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 10A TO220
Description détaillée:
N-Channel 650 V 10A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12879367
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SOUMETTRE
STP13N65M2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
10A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
430mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
590 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP13
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-15555-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP11N80C3XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
6913
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP11N80C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
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