Numéro de produit du fabricant:
IXTP8N70X2M
Product Overview
Fabricant:
IXYS
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IXTP8N70X2M-DG
Description:
MOSFET N-CH 700V 4A TO220
Description détaillée:
N-Channel 700 V 4A (Tc) 32W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab
Inventaire:
12 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12821228
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SOUMETTRE
IXTP8N70X2M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Littelfuse
Emballage
Tube
Série
Ultra X2
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
550mOhm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
800 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
32W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Isolated Tab
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Numéro de produit de base
IXTP8
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-IXTP8N70X2M
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STP13N80K5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
312
NUMÉRO DE PIÈCE
STP13N80K5-DG
PRIX UNITAIRE
1.60
TYPE DE SUBSTITUT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
0.68
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
1.25
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PRIX UNITAIRE
1.29
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