Numéro de produit du fabricant:
STP110N8F6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP110N8F6-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 110A TO220
Description détaillée:
N-Channel 80 V 110A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
889 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12880246
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SOUMETTRE
STP110N8F6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
STripFET™ F6
État du produit
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
110A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
6.5mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
150 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9130 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
200W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP110
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-497-16019-5
5060-STP110N8F6
497-16019-5
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP054N10
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
919
NUMÉRO DE PIÈCE
FDP054N10-DG
PRIX UNITAIRE
2.39
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PRIX UNITAIRE
1.37
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QUANTITÉ DISPONIBLE
163
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PRIX UNITAIRE
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PRIX UNITAIRE
2.10
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