Numéro de produit du fabricant:
CSD19531KCS
Product Overview
Fabricant:
Texas Instruments
DiGi Electronics Numéro de pièce:
CSD19531KCS-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 100 V 100A (Ta) 214W (Tc) Through Hole TO-220-3
Inventaire:
163 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12794240
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SOUMETTRE
CSD19531KCS Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Texas Instruments
Emballage
Tube
Série
NexFET™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
38 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3870 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
214W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
CSD19531
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
-CSD19531KCS-NDR
2156-CSD19531KCS
-296-37480-5-DG
296-37480-5
TEXTISCSD19531KCS
296-37480-5-NDR
CSD19531KCS-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
Not Applicable
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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