Numéro de produit du fabricant:
STH275N8F7-2AG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH275N8F7-2AG-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 180A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 315W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
2000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12875794
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SOUMETTRE
STH275N8F7-2AG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
STripFET™ F7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
193 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13600 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
315W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STH275
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
-497-15473-1
-497-15473-2
497-15473-6
-497-15473-6
497-15473-2
497-15473-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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