Numéro de produit du fabricant:
STB8NM60T4
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STB8NM60T4-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 8A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 650 V 8A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount D2PAK
Inventaire:
12875810
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SOUMETTRE
STB8NM60T4 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
MDmesh™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1Ohm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
400 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
D2PAK
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STB8NM60
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-5386-1
STB8NM60T4-DG
497-5386-2
497-5386-6
1026-STB8NM60T4
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
R6004KNJTL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
R6004KNJTL-DG
PRIX UNITAIRE
0.81
TYPE DE SUBSTITUT
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