Numéro de produit du fabricant:
STH170N8F7-2
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STH170N8F7-2-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 120A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 80 V 120A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
264 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12878860
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SOUMETTRE
STH170N8F7-2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
STripFET™ F7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8710 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
250W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
STH170
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-16002-6
STH170N8F7-2-DG
-497-16002-2
-497-16002-1
-497-16002-6
497-16002-2
497-16002-1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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