Numéro de produit du fabricant:
STP4N90K5
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STP4N90K5-DG
Description:
MOSFET N-CH 900V 3A TO220
Description détaillée:
N-Channel 900 V 3A (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12878867
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SOUMETTRE
STP4N90K5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ K5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
900 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.3 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
173 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
60W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP4N90
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
497-17070
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP6N120P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
171
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFP6N120P-DG
PRIX UNITAIRE
5.19
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FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
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PRIX UNITAIRE
4.59
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