Numéro de produit du fabricant:
STW75N60M6
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STW75N60M6-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 72A TO247
Description détaillée:
N-Channel 600 V 72A (Tc) 446W (Tc) Through Hole TO-247-3
Inventaire:
12872509
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SOUMETTRE
STW75N60M6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
72A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
36mOhm @ 36A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.75V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
106 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±25V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4850 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
446W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247-3
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
STW75
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
600
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH041N60E
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
130
NUMÉRO DE PIÈCE
FCH041N60E-DG
PRIX UNITAIRE
7.29
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QUANTITÉ DISPONIBLE
585
NUMÉRO DE PIÈCE
STW75N60M6-4-DG
PRIX UNITAIRE
6.37
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
TK62N60X,S1F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
102
NUMÉRO DE PIÈCE
TK62N60X,S1F-DG
PRIX UNITAIRE
5.71
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PRIX UNITAIRE
8.93
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PRIX UNITAIRE
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