Numéro de produit du fabricant:
STD100N10LF7AG
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STD100N10LF7AG-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 80A DPAK
Description détaillée:
N-Channel 100 V 80A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventaire:
12875259
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SOUMETTRE
STD100N10LF7AG Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
-
Série
STripFET™ F7
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4000 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252 (DPAK)
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
STD10
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD70N10S312ATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
15078
NUMÉRO DE PIÈCE
IPD70N10S312ATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.98
TYPE DE SUBSTITUT
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