Numéro de produit du fabricant:
STI4N62K3
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
STI4N62K3-DG
Description:
MOSFET N-CH 620V 3.8A I2PAK
Description détaillée:
N-Channel 620 V 3.8A (Tc) 70W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventaire:
12875262
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SOUMETTRE
STI4N62K3 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
SuperMESH3™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
620 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
2Ohm @ 1.9A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
550 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
70W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
I2PAK
Emballage / Caisse
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Numéro de produit de base
STI4N62
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
497-12262
-497-12262
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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