Numéro de produit du fabricant:
SCTL35N65G2V
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCTL35N65G2V-DG
Description:
TRANS SJT N-CH 650V PWRFLAT HV
Description détaillée:
N-Channel 650 V 40A (Tc) 417W (Tc) Surface Mount PowerFlat™ (8x8) HV
Inventaire:
12948527
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SOUMETTRE
SCTL35N65G2V Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
40A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
67mOhm @ 20A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+22V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1370 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
417W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PowerFlat™ (8x8) HV
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
SCTL35
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
497-SCTL35N65G2VTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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