Numéro de produit du fabricant:
RV4E031RPHZGTCR1
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RV4E031RPHZGTCR1-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 3.1A DFN1616-6W
Description détaillée:
P-Channel 30 V 3.1A (Ta) 1.5W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN1616-6W
Inventaire:
5852 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12948541
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SOUMETTRE
RV4E031RPHZGTCR1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
rds activé (max) @ id, vgs
105mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
4.8 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
460 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.5W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount, Wettable Flank
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN1616-6W
Emballage / Caisse
6-PowerWFDFN
Numéro de produit de base
RV4E031
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RV4E031RPHZGTCR1TR
846-RV4E031RPHZGTCR1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
STL66N3LLH5
MOSFET N-CH 30V 80A POWERFLAT
EPC2219
TRANS GAN 65V AECQ101 3.3OHM DIE
EPC2055
GANFET N-CH 40V 29A DIE
