Numéro de produit du fabricant:
SCT20N120H
Product Overview
Fabricant:
STMicroelectronics
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT20N120H-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 20A H2PAK-2
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 20A (Tc) 175W (Tc) Surface Mount H2PAK-2
Inventaire:
12945620
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SOUMETTRE
SCT20N120H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
20V
rds activé (max) @ id, vgs
290mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 20 V
Vgs (max.)
+25V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
650 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
175W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 200°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
H2PAK-2
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
SCT20
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
497-SCT20N120HCT
SCT20N120H-DG
497-SCT20N120HTR
497-SCT20N120HDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R75MT12K
FABRICANT
GeneSiC Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
897
NUMÉRO DE PIÈCE
G3R75MT12K-DG
PRIX UNITAIRE
7.41
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PRIX UNITAIRE
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