STP20N60M2-EP
Numéro de produit du fabricant:

STP20N60M2-EP

Product Overview

Fabricant:

STMicroelectronics

DiGi Electronics Numéro de pièce:

STP20N60M2-EP-DG

Description:

MOSFET N-CHANNEL 600V 13A TO220
Description détaillée:
N-Channel 600 V 13A (Tc) 110W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

12945623
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SOUMETTRE

STP20N60M2-EP Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
STMicroelectronics
Emballage
Tube
Série
MDmesh™ M2-EP
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
13A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
±25V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
110W (Tc)
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
STP20

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IPP80R280P7XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
483
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP80R280P7XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.31
TYPE DE SUBSTITUT
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NUMÉRO DE PIÈCE
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FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
451
NUMÉRO DE PIÈCE
SPP15N60C3XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.73
TYPE DE SUBSTITUT
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