Numéro de produit du fabricant:
SCT3022KLGC11
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT3022KLGC11-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 95A TO247N
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 95A (Tc) 427W Through Hole TO-247N
Inventaire:
221 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525685
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
SCT3022KLGC11 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
95A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
28.6mOhm @ 36A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 18.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
178 nC @ 10 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2879 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
427W
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247N
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT3022
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RQ5A030APTL
MOSFET P-CH 12V 3A TSMT3
RQ5L030SNTL
MOSFET N-CH 60V 3A TSMT3
RV3C002UNT2CL
MOSFET N-CH 20V 150MA VML0604
