Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
France
Espagne
Turquie
Moldavie
Lituanie
Norvège
Allemagne
Portugal
Slovaquie
ltaly
Finlande
Russe
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Serbie
Biélorussie
Pays-Bas
Suède
Monténégro
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Roumanie
Autriche
Belgique
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
RD Congo
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Angola
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Argentine
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
RUE002N05TL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RUE002N05TL-DG
Description:
MOSFET N-CH 50V 200MA EMT3
Description détaillée:
N-Channel 50 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount EMT3
Inventaire:
Demande de devis en ligne
13525701
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RUE002N05TL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
50 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2Ohm @ 200mA, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
25 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
EMT3
Emballage / Caisse
SC-75, SOT-416
Numéro de produit de base
RUE002
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
RUE002N05TL
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
RE1J002YNTCL
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
69171
NUMÉRO DE PIÈCE
RE1J002YNTCL-DG
PRIX UNITAIRE
0.04
TYPE DE SUBSTITUT
Similar
Certification DIGI
Produits Connexes
RSR025P03TL
MOSFET P-CH 30V 2.5A TSMT3
RQ3L050GNTB
MOSFET N-CHANNEL 60V 12A 8HSMT
RJ1P12BBDTLL
MOSFET N-CH 100V 120A LPTL
RUF025N02TL
MOSFET N-CH 20V 2.5A TUMT3