Numéro de produit du fabricant:
SCT2160KEC
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT2160KEC-DG
Description:
SICFET N-CH 1200V 22A TO247
Description détaillée:
N-Channel 1200 V 22A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247
Inventaire:
13526905
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SOUMETTRE
SCT2160KEC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
22A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
208mOhm @ 7A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 2.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT2160
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
30
Autres noms
SCT2160KECU
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX40N90P
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX40N90P-DG
PRIX UNITAIRE
16.20
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QUANTITÉ DISPONIBLE
424
NUMÉRO DE PIÈCE
SCT2160KEHRC11-DG
PRIX UNITAIRE
12.61
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH32N100X
FABRICANT
IXYS
QUANTITÉ DISPONIBLE
1
NUMÉRO DE PIÈCE
IXFH32N100X-DG
PRIX UNITAIRE
13.16
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QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
7.43
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