Numéro de produit du fabricant:
SCT2H12NYTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT2H12NYTB-DG
Description:
SICFET N-CH 1700V 4A TO268
Description détaillée:
N-Channel 1700 V 4A (Tc) 44W (Tc) Surface Mount TO-268
Inventaire:
13526914
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SOUMETTRE
SCT2H12NYTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
1700 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
1.5Ohm @ 1.1A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 410µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
184 pF @ 800 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
44W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-268
Emballage / Caisse
TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Numéro de produit de base
SCT2H12
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
400
Autres noms
SCT2H12NYTBTR
SCT2H12NYTBCT
SCT2H12NYTBDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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