Numéro de produit du fabricant:
SCT2120AFC
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SCT2120AFC-DG
Description:
SICFET N-CH 650V 29A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 650 V 29A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
13526957
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SOUMETTRE
SCT2120AFC Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
29A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
156mOhm @ 10A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 3.3mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
61 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -6V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1200 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
SCT2120
Fiche technique & Documents
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SCT2120AFCU
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP65R190E6XKSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
580
NUMÉRO DE PIÈCE
IPP65R190E6XKSA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.52
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