Numéro de produit du fabricant:
IPP65R190E6XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPP65R190E6XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 650V 20.2A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 650 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
580 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12806787
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPP65R190E6XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™
État du produit
Not For New Designs
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20.2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 7.3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 730µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
73 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1620 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
151W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IPP65R190
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
INFINFIPP65R190E6XKSA1
SP000849876
2156-IPP65R190E6XKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK17E65W,S1X
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
12
NUMÉRO DE PIÈCE
TK17E65W,S1X-DG
PRIX UNITAIRE
1.35
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP190N65F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
1600
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP190N65F-DG
PRIX UNITAIRE
1.98
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP26N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STP26N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
1.34
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STP21N65M5
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2997
NUMÉRO DE PIÈCE
STP21N65M5-DG
PRIX UNITAIRE
2.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP150N65F
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
FCP150N65F-DG
PRIX UNITAIRE
2.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
SPP100N06S2L-05
MOSFET N-CH 55V 100A TO220-3
IRFS7434-7PPBF
MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
IRLR014NTRL
MOSFET N-CH 55V 10A DPAK
