Numéro de produit du fabricant:
RW1E025RPT2CR
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RW1E025RPT2CR-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 2.5A 6WEMT
Description détaillée:
P-Channel 30 V 2.5A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WEMT
Inventaire:
13524454
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SOUMETTRE
RW1E025RPT2CR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
75mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.2 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
480 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
700mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-WEMT
Emballage / Caisse
6-SMD, Flat Leads
Numéro de produit de base
RW1E025
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
8,000
Autres noms
RW1E025RPT2CRCT
RW1E025RPT2CRDKR
RW1E025RPT2CRTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
SSM6J214FE(TE85L,F
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
19745
NUMÉRO DE PIÈCE
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
PRIX UNITAIRE
0.08
TYPE DE SUBSTITUT
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