Numéro de produit du fabricant:
SSM6J214FE(TE85L,F
Product Overview
Fabricant:
Toshiba Semiconductor and Storage
DiGi Electronics Numéro de pièce:
SSM6J214FE(TE85L,F-DG
Description:
MOSFET P-CH 30V 3.6A ES6
Description détaillée:
P-Channel 30 V 3.6A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount ES6
Inventaire:
19745 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12891207
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SOUMETTRE
SSM6J214FE(TE85L,F Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
U-MOSVI
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7.9 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
ES6
Emballage / Caisse
SOT-563, SOT-666
Numéro de produit de base
SSM6J214
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SSM6J214FE(TE85LFDKR
SSM6J214FE(TE85LFTR
SSM3K17FULF
SSM6J214FE(TE85LFCT
SSM3K17FULF(B
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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