Numéro de produit du fabricant:
GNP1150TCA-ZE2
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GNP1150TCA-ZE2-DG
Description:
ECOGAN, 650V 11A DFN8080AK, E-MO
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount DFN8080AK
Inventaire:
3051 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13000714
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
GNP1150TCA-ZE2 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
5V, 5.5V
rds activé (max) @ id, vgs
195mOhm @ 1.9A, 5.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 18mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.7 nC @ 6 V
Vgs (max.)
+6V, -10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
112 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
62.5W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DFN8080AK
Emballage / Caisse
8-PowerDFN
Numéro de produit de base
GNP1150
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,500
Autres noms
846-GNP1150TCA-ZE2CT
846-GNP1150TCA-ZE2TR
846-GNP1150TCA-ZE2DKR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMN2310U-7
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
DMTH8008LFG-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V POWERDI33
STP80N600K6
N-CHANNEL 800 V, 515 MOHM TYP.,