RS1G201ATTB1
Numéro de produit du fabricant:

RS1G201ATTB1

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RS1G201ATTB1-DG

Description:

MOSFET P-CH 40V 20A/78A 8HSOP
Description détaillée:
P-Channel 40 V 20A (Ta), 78A (Tc) 3W (Ta), 40W (Tc) Surface Mount 8-HSOP

Inventaire:

7266 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12985737
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SOUMETTRE

RS1G201ATTB1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 78A (Tc)
rds activé (max) @ id, vgs
5.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6890 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSOP
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS1G

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
846-RS1G201ATTB1TR
846-RS1G201ATTB1CT
846-RS1G201ATTB1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMT35M4LFVW-13

MOSFET BVDSS: 25V~30V POWERDI333

vishay-siliconix

SIHA15N60E-GE3

N-CHANNEL 600V

diodes

DMPH4013SPS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

nexperia

BUK9M31-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L