SIHA15N60E-GE3
Numéro de produit du fabricant:

SIHA15N60E-GE3

Product Overview

Fabricant:

Vishay Siliconix

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SIHA15N60E-GE3-DG

Description:

N-CHANNEL 600V
Description détaillée:
N-Channel 600 V 15A (Tc) 34W (Tc) Through Hole TO-220 Full Pack

Inventaire:

1000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12985743
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SOUMETTRE

SIHA15N60E-GE3 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Vishay
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
15A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
280mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
76 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1350 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
34W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220 Full Pack
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
742-SIHA15N60E-GE3TR
742-SIHA15N60E-GE3CT

Classification environnementale et d'exportation

Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
diodes

DMPH4013SPS-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506

nexperia

BUK9M31-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 21 MOHM L

diodes

DMPH4013SPSQ-13

MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI506