Numéro de produit du fabricant:
RS1E240BNTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RS1E240BNTB-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 24A 8HSOP
Description détaillée:
N-Channel 30 V 24A (Ta), 40A (Tc) 3W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventaire:
2500 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525592
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RS1E240BNTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.2mOhm @ 24A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3900 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSOP
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS1E
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RS1E240BNTBTR
RS1E240BNTBDKR
RS1E240BNTBCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RUU002N05T106
MOSFET N-CH 50V 200MA UMT3
SCT3060ALGC11
SICFET N-CH 650V 39A TO247N
RSF015N06FRATL
MOSFET N-CH 60V 1.5A TUMT3
