SCT3060ALGC11
Numéro de produit du fabricant:

SCT3060ALGC11

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

SCT3060ALGC11-DG

Description:

SICFET N-CH 650V 39A TO247N
Description détaillée:
N-Channel 650 V 39A (Tc) 165W (Tc) Through Hole TO-247N

Inventaire:

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SOUMETTRE

SCT3060ALGC11 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
39A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
18V
rds activé (max) @ id, vgs
78mOhm @ 13A, 18V
Vgs(th) (Max) @ Id
5.6V @ 6.67mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
58 nC @ 18 V
Vgs (max.)
+22V, -4V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
852 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
165W (Tc)
Température de fonctionnement
175°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-247N
Emballage / Caisse
TO-247-3
Numéro de produit de base
SCT3060

Fiche technique & Documents

Ressources de conception
TO-247N Inner Structure
Documents de fiabilité
MOS-3GTHD Reliability Test
Fiches techniques
SCT3060ALGC11 TO-247N Taping Spec

Informations supplémentaires

Forfait standard
30

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
IXFX64N60P
FABRICANT
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QUANTITÉ DISPONIBLE
911
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
13.25
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PRIX UNITAIRE
2.60
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QUANTITÉ DISPONIBLE
3
NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
11.27
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QUANTITÉ DISPONIBLE
23880
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PRIX UNITAIRE
4.39
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QUANTITÉ DISPONIBLE
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NUMÉRO DE PIÈCE
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PRIX UNITAIRE
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