Numéro de produit du fabricant:
RS1E200GNTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RS1E200GNTB-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 20A 8HSOP
Description détaillée:
N-Channel 30 V 20A (Ta), 57A (Tc) 3W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount 8-HSOP
Inventaire:
2460 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13527276
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SOUMETTRE
RS1E200GNTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Ta), 57A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
16.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1080 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
3W (Ta), 25W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSOP
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
RS1E
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RS1E200GNTBDKR
RS1E200GNTBCT
RS1E200GNTBTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC042N03LSGATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
11717
NUMÉRO DE PIÈCE
BSC042N03LSGATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.35
TYPE DE SUBSTITUT
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