Numéro de produit du fabricant:
RDN050N20FU6
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RDN050N20FU6-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 5A TO220FN
Description détaillée:
N-Channel 200 V 5A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220FN
Inventaire:
13527298
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SOUMETTRE
RDN050N20FU6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
720mOhm @ 2.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
18.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
292 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FN
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
RDN050
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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