RQ3E180AJTB1
Numéro de produit du fabricant:

RQ3E180AJTB1

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RQ3E180AJTB1-DG

Description:

NCH 30V 18A MIDDLE POWER MOSFET:
Description détaillée:
N-Channel 30 V 18A (Ta), 30A (Tc) 2W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)

Inventaire:

2944 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12976070
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SOUMETTRE

RQ3E180AJTB1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
18A (Ta), 30A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
4.5mOhm @ 18A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.5V @ 11mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4290 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta), 30W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSMT (3.2x3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E180

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
846-RQ3E180AJTB1DKR
846-RQ3E180AJTB1TR
846-RQ3E180AJTB1CT

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E180AJTB1
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
2944
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E180AJTB1-DG
PRIX UNITAIRE
0.52
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E180AJTB
FABRICANT
Rohm Semiconductor
QUANTITÉ DISPONIBLE
16588
NUMÉRO DE PIÈCE
RQ3E180AJTB-DG
PRIX UNITAIRE
0.40
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
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