Numéro de produit du fabricant:
RQ3E120BNTB
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RQ3E120BNTB-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A 8HSMT
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta) 2W (Ta) Surface Mount 8-HSMT (3.2x3)
Inventaire:
2880 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525496
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
RQ3E120BNTB Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9.3mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1500 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2W (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-HSMT (3.2x3)
Emballage / Caisse
8-PowerVDFN
Numéro de produit de base
RQ3E120
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RQ3E120BNTBCT
RQ3E120BNTBDKR
RQ3E120BNTBTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
R5016FNX
MOSFET N-CH 500V 16A TO220FM
RQ6A045ZPTR
MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT6
RD3L08BGNTL
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
