Numéro de produit du fabricant:
RD3L08BGNTL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RD3L08BGNTL-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 80A TO252
Description détaillée:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 119W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
1415 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13525521
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SOUMETTRE
RD3L08BGNTL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
71 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3620 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
119W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Numéro de produit de base
RD3L08
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
RD3L08BGNTLDKR
RD3L08BGNTLTR
RD3L08BGNTLCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
TK6R7P06PL,RQ
FABRICANT
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTITÉ DISPONIBLE
22356
NUMÉRO DE PIÈCE
TK6R7P06PL,RQ-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
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