RJ1G12BGNTLL
Numéro de produit du fabricant:

RJ1G12BGNTLL

Product Overview

Fabricant:

Rohm Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

RJ1G12BGNTLL-DG

Description:

MOSFET N-CH 40V 120A LPTL
Description détaillée:
N-Channel 40 V 120A (Tc) 178W (Tc) Surface Mount LPTL

Inventaire:

1804 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526416
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SOUMETTRE

RJ1G12BGNTLL Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.86mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
12500 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
178W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
LPTL
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
RJ1G12

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
RJ1G12BGNTLLCT
RJ1G12BGNTLLTR
RJ1G12BGNTLLDKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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