Numéro de produit du fabricant:
RU1C002UNTCL
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RU1C002UNTCL-DG
Description:
MOSFET N-CH 20V 200MA UMT3F
Description détaillée:
N-Channel 20 V 200mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount UMT3F
Inventaire:
28040 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13526417
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SOUMETTRE
RU1C002UNTCL Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
1.2V, 2.5V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 200mA, 2.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 1mA
Vgs (max.)
±8V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
25 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150mW (Ta)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
UMT3F
Emballage / Caisse
SC-85
Numéro de produit de base
RU1C002
Fiche technique & Documents
Ressources de conception
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
RU1C002UNTCLTR
RU1C002UNTCLDKR
RU1C002UNTCL-ND
RU1C002UNTCLCT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
RSR010N10TL
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
RCD051N20TL
MOSFET N-CH 200V 5A CPT3
SCT3120ALGC11
SICFET N-CH 650V 21A TO247N
