Numéro de produit du fabricant:
RDX060N60FU6
Product Overview
Fabricant:
Rohm Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RDX060N60FU6-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Description détaillée:
N-Channel 600 V 6A (Ta) 40W (Tc) Through Hole TO-220FM
Inventaire:
13527427
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SOUMETTRE
RDX060N60FU6 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
ROHM Semiconductor
Emballage
-
Série
-
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.2Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
950 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FM
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
RDX060
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STF6N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
410
NUMÉRO DE PIÈCE
STF6N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.55
TYPE DE SUBSTITUT
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